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產(chǎn)品分類(lèi)

FET,MOSFET - 單個(gè)
SIHF6N65E-GE3參考圖片

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SIHF6N65E-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
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數(shù)據(jù)手冊(cè)
參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類(lèi)型
N 通道
技術(shù)
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
7A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)
600 毫歐 @ 3A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)
48nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)
820pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
31W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220 整包
封裝/外殼
TO-220-3 整包
商品其它信息
優(yōu)勢(shì)價(jià)格,SIHF6N65E-GE3的國(guó)內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國(guó)外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號(hào)
圖片型號(hào)制造商分類(lèi)數(shù)據(jù)手冊(cè)描述參考價(jià)格庫(kù)存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
暫無(wú)價(jià)格
參考庫(kù)存:45737
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88
暫無(wú)價(jià)格
參考庫(kù)存:45745
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
暫無(wú)價(jià)格
參考庫(kù)存:45753
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 50V 100MA SMD
暫無(wú)價(jià)格
參考庫(kù)存:45761
FET,MOSFET - 單個(gè)
MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
暫無(wú)價(jià)格
參考庫(kù)存:45769
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