| 參數(shù) | 參數(shù)值 |
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包裝
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管件
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系列
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GigaMOS?，HiPerFET?，TrenchT2?
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零件狀態(tài)
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有源
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FET 類型
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N 通道
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技術(shù)
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MOSFET（金屬氧化物）
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漏源電壓（Vdss）
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75V
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電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
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230A（Tc）
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驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
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10V
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不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）
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4.2 毫歐 @ 50A，10V
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不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
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4V @ 1mA
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不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）
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178nC @ 10V
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Vgs（最大值）
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-
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不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
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10500pF @ 25V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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480W（Tc）
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工作溫度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安裝類型
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表面貼裝型
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供應(yīng)商器件封裝
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TO-263-7（IXTA..7）
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封裝/外殼
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TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片），TO-263CB
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