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FET，MOSFET - 單個
SCTH90N65G2V-7參考圖片

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SCTH90N65G2V-7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
90A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
26 毫歐 @ 50A，18V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
157nC @ 18V
Vgs（最大值）
+22V，-10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
3300pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
330W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
H2PAK-7
封裝/外殼
TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA
商品其它信息
優(yōu)勢價格，SCTH90N65G2V-7的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 21.8A TO-3P
暫無價格
參考庫存:23064
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 20A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:23072
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
暫無價格
參考庫存:23080
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA
暫無價格
參考庫存:23088
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
暫無價格
參考庫存:23096
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