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存儲器
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W988D2FBJX6E

  • Winbond Electronics
  • 新批次
  • IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - 移動 LPSDR
存儲容量
256Mb (8M x 32)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
166MHz
寫周期時間 - 字,頁
15ns
訪問時間
5.4ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-25°C ~ 85°C(TC)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
90-TFBGA
供應商器件封裝
90-VFBGA(8x13)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,W988D2FBJX6E的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC EEPROM 2KB I2C 400KHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:17946
存儲器
IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:17948
存儲器
IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8DIP
暫無價格
參考庫存:8305
存儲器
IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8SOIJ
暫無價格
參考庫存:11952
存儲器
IC EEPROM 128 I2C 400KHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:34454
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