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存儲器
BQ4011YMA-150參考圖片

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BQ4011YMA-150

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
  • 數據手冊下載
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
256Kb （32K x 8）
存儲器接口
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁
150ns
訪問時間
150ns
電壓 - 電源
4.5V ~ 5.5V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）
供應商器件封裝
28-DIP 模塊（18.42x37.72）
商品其它信息
優(yōu)勢價格，BQ4011YMA-150的國內現貨當天可發(fā)貨,國外現貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
暫無價格
參考庫存:6400
存儲器
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
暫無價格
參考庫存:11402
存儲器
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON
暫無價格
參考庫存:2866
存儲器
IC FLASH 64G MMC
暫無價格
參考庫存:6408
存儲器
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 16SOIC
暫無價格
參考庫存:5205
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